Njira ya CVD yopangira zinthu zopangira SiC zoyera kwambiri mu uvuni wa silicon carbide synthesis pa 1600℃

Kufotokozera Kwachidule:

Fungo la Silicon carbide (SiC) synthesis furnace (CVD). Limagwiritsa ntchito ukadaulo wa Chemical Vapor Deposition (CVD) ku magwero a ₄ gaseous silicon (monga SiH₄, SiCl₄) pamalo otentha kwambiri momwe amachitira ndi magwero a carbon (monga C₃H₈, CH₄). Chipangizo chofunikira kwambiri chokulira makristalo a silicon carbide oyeretsedwa kwambiri pa substrate (graphite kapena mbewu ya SiC). Ukadaulowu umagwiritsidwa ntchito makamaka pokonzekera substrate imodzi ya kristalo ya SiC (4H/6H-SiC), yomwe ndi zida zazikulu zopangira ma semiconductor amphamvu (monga MOSFET, SBD).

Tumizani imelo kwa ife

Mawonekedwe

Mfundo yogwira ntchito:

1. Kupereka kwa precursor. Mpweya wochokera ku silicon (monga SiH₄) ndi mpweya wochokera ku carbon (monga C₃H₈) umasakanizidwa mofanana ndikulowetsedwa mu chipinda chochitira zinthu.

2. Kuwonongeka kwa kutentha kwambiri: Pa kutentha kwakukulu kwa 1500 ~ 2300℃, kuwonongeka kwa mpweya kumapanga maatomu ogwira ntchito a Si ndi C.

3. Kuyankha pamwamba: Maatomu a Si ndi C amaikidwa pamwamba pa substrate kuti apange SiC crystal layer.

4. Kukula kwa makristalo: Kudzera mu ulamuliro wa kutentha, kuyenda kwa mpweya ndi kupanikizika, kuti tikwaniritse kukula kolunjika motsatira mzere wa c kapena mzere wa a.

Magawo ofunikira:

· Kutentha: 1600~2200℃ (>2000℃ ya 4H-SiC)

· Kupanikizika: 50~200mbar (kupanikizika kochepa kuti muchepetse mpweya)

· Chiŵerengero cha mpweya: Si/C≈1.0~1.2 (kuti tipewe zolakwika za Si kapena C)

Zinthu zazikulu:

(1) Ubwino wa kristalo
Kuchuluka kwa chilema chochepa: kuchuluka kwa microtubule < 0.5cm ⁻², kuchuluka kwa dislocation < 10⁴ cm⁻².

Kuwongolera kwa mtundu wa polycrystalline: kumatha kukula 4H-SiC (yaikulu), 6H-SiC, 3C-SiC ndi mitundu ina ya makristalo.

(2) Kagwiridwe ka ntchito ka zida
Kukhazikika kwa kutentha kwambiri: kutentha kwa graphite induction kapena kutentha kokana, kutentha >2300℃.

Kulamulira kofanana: kusinthasintha kwa kutentha ± 5℃, kuchuluka kwa kukula 10 ~ 50μm/h.

Dongosolo la mpweya: Choyezera kuchuluka kwa mpweya (MFC) molondola kwambiri, kuyera kwa mpweya ≥99.999%.

(3) Ubwino wa ukadaulo
Kuyera kwambiri: Kuchuluka kwa kuipitsidwa kumbuyo <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, ndi zina zotero).

Kukula kwakukulu: Kuthandizira kukula kwa gawo lapansi la SiC la 6 "/8".

(4) Kugwiritsa ntchito mphamvu ndi mtengo wake
Kugwiritsa ntchito mphamvu zambiri (200~500kW·h pa ng'anjo iliyonse), zomwe zimapangitsa kuti 30%~50% ya ndalama zopangira SiC substrate.

Ntchito zazikulu:

1. Power semiconductor substrate: SiC MOSFETs zopangira magalimoto amagetsi ndi ma inverter a photovoltaic.

2. Chipangizo cha Rf: 5G base station GaN-on-SiC epitaxial substrate.

3. Zipangizo zotetezera chilengedwe: masensa otentha kwambiri a malo opangira magetsi ndi nyukiliya.

mfundo zaukadaulo:

Kufotokozera	Tsatanetsatane
Miyeso (L × W × H)	4000 x 3400 x 4300 mm kapena sinthani
Chipinda cha chipinda cha ng'anjo	1100mm
Kutha kukweza	50kg
Mlingo wa vacuum wocheperako	10-2Pa (maola awiri pambuyo poti pampu ya molekyulu yayamba)
Kukwera kwa kuthamanga kwa mpweya m'chipinda	≤10Pa/h (mutatha kuwerengera)
Chotsitsa cha ng'anjo chotsitsa	1500mm
Njira yotenthetsera	Kutentha kwa induction
Kutentha kwakukulu mu ng'anjo	2400°C
Mphamvu yotenthetsera	2X40kW
Kuyeza kutentha	Muyeso wa kutentha kwa infrared wa mitundu iwiri
Kuchuluka kwa kutentha	900~3000℃
Kulondola kwa kuwongolera kutentha	±1°C
Kulamulira kuthamanga kwa mpweya	1 ~ 700mbar
Kulondola kwa Kulamulira Kupanikizika	1~5mbar ±0.1mbar; 5~100mbar ±0.2mbar; 100~700mbar ±0.5mbar
Njira yokwezera	Kutsitsa katundu;
Kusintha kosankha	Malo oyezera kutentha kawiri, kutsitsa forklift.

Ntchito za XKH:

XKH imapereka ntchito zonse zogwirira ntchito za silicon carbide CVD furnitures, kuphatikizapo kusintha kwa zida (kapangidwe ka malo otentha, kasinthidwe ka gasi), kupanga njira (kuwongolera makristalo, kukonza zolakwika), maphunziro aukadaulo (kugwiritsa ntchito ndi kukonza) ndi chithandizo chogulitsa pambuyo pogulitsa (kupereka zida zosinthira za zigawo zofunika, kuzindikira kutali) kuti zithandize makasitomala kukwaniritsa kupanga zinthu zambiri za SiC substrate. Ndi kupereka ntchito zokweza njira kuti zipitirire kupititsa patsogolo kukolola kwa makristalo ndi kukula bwino.