Ma Wafers a Silicon Carbide a SiC a mainchesi 8 a 200mm 4H-N mtundu wa Kupanga kalasi 500um makulidwe

Ma Wafers a Silikoni Carbide a 8inch 200mm SiC 4H-N mtundu wa Kupanga kalasi 500um makulidwe Chithunzi Chowonetsedwa

Kufotokozera Kwachidule:

Shanghai Xinkehui Tech. Co., Ltd imapereka zosankha zabwino kwambiri komanso mitengo yabwino kwambiri ya ma wafer a silicon carbide apamwamba komanso ma substrates mpaka mainchesi 8 okhala ndi mitundu ya N- ndi semi-insulating. Makampani ang'onoang'ono ndi akuluakulu a zida za semiconductor ndi malo ofufuzira padziko lonse lapansi amagwiritsa ntchito ndi kudalira ma wafer athu a silicone carbide.

Tumizani imelo kwa ife

Mawonekedwe

200mm 8inch SiC Substrate Kufotokozera

Kukula: 8 mainchesi;

M'mimba mwake: 200mm±0.2;

Kunenepa: 500um±25;

Kuyang'ana Pamwamba: 4 kulunjika ku [11-20]±0.5°;

Kuyang'ana kwa Notch: [1-100]±1°；

Kuzama kwa notch: 1±0.25mm；

Chitoliro cha Micropipe: <1cm2;

Ma Hex Plates: Palibe Chololedwa;

Kukana: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD: <1000cm2

SF: dera <1%

TTV≤15um；

Mzere wozungulira ≤40um ；

Uta ≤25um ；

Madera a poly: ≤5%;

Kukanda: <5 ndi Utali Wochuluka < 1 Wafer Diameter;

Ma Chips/Indents: Palibe chololeza D>0.5mm Kukula ndi Kuzama;

Ming'alu: Palibe;

Dothi: Palibe

Mphepete mwa wafer: Chamfer;

Kumaliza pamwamba: Double Side Polish, Si Face CMP;

Kupaka: Kaseti ya ma wafer ambiri kapena chidebe chimodzi cha ma wafer;

Mavuto omwe alipo pakali pano pakukonzekera makhiristo a 200mm 4H-SiC

1) Kukonzekera makhiristo a mbewu za 200mm 4H-SiC apamwamba kwambiri;

2) Kusalingana kwa kutentha kwakukulu ndi njira yoyendetsera nucleation;

3) Kuyenda bwino komanso kusintha kwa zinthu za mpweya m'machitidwe okulira a makristalo akuluakulu;

4) Kusweka kwa makristalo ndi kuchulukana kwa zilema zomwe zimachitika chifukwa cha kuchuluka kwa kutentha kwakukulu.

Pofuna kuthana ndi mavutowa ndikupeza ma wafers apamwamba a 200mm SiC, njira zothetsera mavuto zikuperekedwa:

Ponena za kukonzekera kwa makristalo a mbewu a 200mm, malo oyenera oyendera kutentha, ndi kusonkhana kokulirapo zidaphunziridwa ndipo zidapangidwa kuti ziganizire za ubwino wa makristalo ndi kukula kokulirapo; Kuyambira ndi kristalo ya 150mm SiC se:d, chitani kubwerezabwereza kwa makristalo a mbewu kuti pang'onopang'ono muwonjezere kristalo ya SiC mpaka itafika 200mm; Kudzera mu kukula kwa makristalo angapo ndi njira zoyendetsera makristalo, pang'onopang'ono muwonjezere ubwino wa makristalo m'dera lokulirapo la makristalo, ndikukweza ubwino wa makristalo a mbewu a 200mm.

Ponena za kukonzekera kwa kristalo woyendetsa ndi substrate wa 200mm, kafukufuku wakonza bwino kapangidwe ka feld ndi flow field kuti makristalo akuluakulu akule, kupanga kukula kwa kristalo woyendetsa SiC wa 200mm, ndikuwongolera kufanana kwa doping. Pambuyo pokonza ndi kupanga mawonekedwe a kristalo, ingot ya 4H-SiC yoyendetsa magetsi ya mainchesi 8 yokhala ndi mainchesi okhazikika idapezeka. Pambuyo podula, kupera, kupukuta, kukonza kuti mupeze ma wafer a SiC 200mm okhala ndi makulidwe a 525um kapena kuposerapo.