Makina odulira waya wa silicon carbide diamondi 4/6/8/12 inch SiC ingot processing
Mfundo yogwira ntchito:
1. Kukhazikika kwa Ingot: SiC ingot (4H/6H-SiC) imakhazikika pa nsanja yodulira kudzera mu chogwirira kuti zitsimikizire kulondola kwa malo (± 0.02mm).
2. Kuyenda kwa mzere wa diamondi: mzere wa diamondi (tinthu ta diamondi tomwe timapangidwa ndi electroplated pamwamba) umayendetsedwa ndi dongosolo la gudumu lotsogolera kuti liziyenda mofulumira kwambiri (liwiro la mzere 10 ~ 30m/s).
3. Kudula chakudya: ingot imadyetsedwa motsatira njira yomwe yayikidwa, ndipo mzere wa diamondi umadulidwa nthawi imodzi ndi mizere ingapo yofanana (mizere 100 ~ 500) kuti apange ma wafer angapo.
4. Kuziziritsa ndi kuchotsa tchipisi: Thirani choziziritsira (madzi oyeretsedwa + zowonjezera) pamalo odulira kuti muchepetse kuwonongeka kwa kutentha ndikuchotsa tchipisi.
Magawo ofunikira:
1. Liwiro lodulira: 0.2 ~ 1.0mm/min (kutengera ndi momwe kristalo imayendera komanso makulidwe a SiC).
2. Kukanika kwa mzere: 20~50N (kukwera kwambiri, kosavuta kuswa mzere, kutsika kwambiri kumakhudza kulondola kwa kudula).
3. Kukhuthala kwa wafer: muyezo 350~500μm, wafer imatha kufika 100μm.
Zinthu zazikulu:
(1) Kudula molondola
Kulekerera makulidwe: ± 5μm (@ 350μm wafer), bwino kuposa kudula matope wamba (± 20μm).
Kukhwima kwa pamwamba: Ra<0.5μm (palibe chowonjezera chophwanyika chomwe chikufunika kuti muchepetse kuchuluka kwa kukonza kotsatira).
Kupotoza: <10μm (kuchepetsa zovuta za kupukuta pambuyo pake).
(2) Kugwiritsa ntchito bwino ntchito
Kudula mizere yambiri: kudula zidutswa 100-500 nthawi imodzi, kuonjezera mphamvu yopangira katatu-kasanu (mosiyana ndi kudula mzere umodzi).
Moyo wa mzere: Mzere wa diamondi ukhoza kudula 100 ~ 300km SiC (kutengera kuuma kwa ingot ndi kukonza bwino njira).
(3) Kukonza zinthu zochepa zomwe zingawonongeke
Kusweka kwa m'mphepete: <15μm (kudula kwachikhalidwe >50μm), kumawonjezera kuchuluka kwa wafer.
Gawo lowonongeka pansi pa nthaka: <5μm (chepetsani kupukuta).
(4) Kuteteza chilengedwe ndi chuma
Palibe kuipitsidwa kwa matope: Kuchepetsa ndalama zotayira zinyalala poyerekeza ndi kudula matope.
Kugwiritsa ntchito zinthu: Kutaya kudula <100μm/ chodulira, kusunga zipangizo za SiC.
Kudula zotsatira:
1. Ubwino wa wafer: palibe ming'alu ya macroscopic pamwamba, zolakwika zochepa zazing'ono (kufalikira kwa dislocation komwe kungalamuliridwe). Ikhoza kulowa mwachindunji mu ulalo wopukuta wozungulira, kufupikitsa kayendedwe ka ntchito.
2. Kusasinthasintha: kusiyana kwa makulidwe a wafer mu gulu ndi <±3%, koyenera kupanga zokha.
3. Kugwiritsa Ntchito: Thandizani kudula ingot ya 4H/6H-SiC, yogwirizana ndi mtundu wa conductive/semi-insulated.
mfundo zaukadaulo:
| Kufotokozera | Tsatanetsatane |
| Miyeso (L × W × H) | 2500x2300x2500 kapena sinthani |
| Kukula kwa zinthu zopangira zinthu zosiyanasiyana | 4, 6, 8, 10, 12 mainchesi a silicon carbide |
| Kukhwima kwa pamwamba | Ra≤0.3u |
| Liwiro lodulira lapakati | 0.3mm/mphindi |
| Kulemera | 5.5t |
| Njira zodulira njira zodulira | Masitepe ≤30 |
| Phokoso la zida | ≤80 dB |
| Kukanikiza kwa waya wachitsulo | 0 ~ 110N (0.25 waya mphamvu ndi 45N) |
| Liwiro la waya wachitsulo | 0~30m/S |
| Mphamvu yonse | 50kw |
| Waya wa diamondi m'mimba mwake | ≥0.18mm |
| Kutsika kwa mapeto | ≤0.05mm |
| Kudula ndi kuswa mtengo | ≤1% (kupatula pazifukwa za anthu, zinthu za silicon, mzere, kukonza ndi zifukwa zina) |
Ntchito za XKH:
XKH imapereka chithandizo chonse cha makina odulira waya wa silicon carbide diamondi, kuphatikizapo kusankha zida (kufananiza waya ndi liwiro la waya), kukonza njira (kukonza magawo odulira), kupereka zinthu zogwiritsidwa ntchito (waya wa diamondi, gudumu lotsogolera) ndi chithandizo chogulitsa pambuyo pogulitsa (kukonza zida, kusanthula khalidwe la kudula), kuti athandize makasitomala kupeza zokolola zambiri (>95%), kupanga SiC wafer yotsika mtengo. Imaperekanso zosintha zomwe zasinthidwa (monga kudula kowonda kwambiri, kukweza ndi kutsitsa zokha) ndi nthawi yotsogolera ya masabata 4-8.
Chithunzi Chatsatanetsatane





