Wafer wa 6inch HPSI SiC substrate wafers wa Silicon Carbide wafers wa SiC wonyoza pang'ono

Njira zamakono zokulira za SiC single crystal makamaka zikuphatikizapo zitatu izi: njira yamadzimadzi, njira yosungira nthunzi ya mankhwala otentha kwambiri, ndi njira yotumizira nthunzi ya thupi (PVT). Pakati pawo, njira ya PVT ndiyo ukadaulo wofufuzidwa kwambiri komanso wokhwima kwambiri pakukula kwa SiC single crystal, ndipo zovuta zake zaukadaulo ndi izi:

(1) SiC kristalo imodzi pa kutentha kwakukulu kwa 2300 ° C pamwamba pa chipinda chotsekedwa cha graphite kuti amalize njira yosinthira "solid - gas - solid" kusintha, nthawi yokulira ndi yayitali, yovuta kuilamulira, ndipo imakonda kukhala ndi ma microtubules, inclusions ndi zolakwika zina.

(2) Silicon carbide imodzi ya kristalo, kuphatikizapo mitundu yoposa 200 yosiyanasiyana ya kristalo, koma kupanga kwa mtundu umodzi wokha wa kristalo, kosavuta kupanga kusintha kwa mtundu wa kristalo mu njira yokulirapo zomwe zimapangitsa kuti pakhale zolakwika zamitundu yambiri, njira yokonzekera mtundu umodzi wokha wa kristalo ndi yovuta kulamulira kukhazikika kwa njirayo, mwachitsanzo, njira yayikulu yamakono ya mtundu wa 4H.

(3) Silicon carbide single crystal growth thermal field imakhala ndi kutentha pang'ono, zomwe zimapangitsa kuti njira yokulira ya kristalo ikhale ndi kupsinjika kwamkati komwe kumachitika chifukwa cha kusokonekera, zolakwika ndi zolakwika zina zomwe zimachitika.

(4) Njira yokulira ya silicon carbide imodzi iyenera kuwongolera mwamphamvu kulowetsedwa kwa zinyalala zakunja, kuti ipeze kristalo yoyera kwambiri yoteteza kapena kristalo yoyendetsa yoyendetsedwa ndi mbali. Pazinthu zoteteza za silicon carbide zomwe zimagwiritsidwa ntchito muzipangizo za RF, mphamvu zamagetsi ziyenera kukwaniritsidwa powongolera kuchuluka kwa zinyalala zochepa komanso mitundu yeniyeni ya zolakwika za mfundo mu kristalo.