Kukana kwa silicon carbide ng'anjo yayitali ya kristalo yokulira 6/8/12inch inchi SiC ingot crystal PVT njira

Kukana kwa silicon carbide ng'anjo yayitali ya kristalo ikukula 6/8/12inch inchi SiC ingot kristalo njira ya PVT Chithunzi Chowonetsedwa

Kufotokozera Kwachidule:

Utoto wokulirapo wa silicon carbide resistance (njira ya PVT, njira yotumizira nthunzi yeniyeni) ndi chida chofunikira kwambiri pakukula kwa silicon carbide (SiC) single crystal pogwiritsa ntchito mfundo ya sublimation-recrystallization yotentha kwambiri. Ukadaulowu umagwiritsa ntchito resistance heating (graphite heating body) kuti uchepetse zinthu za SiC pa kutentha kwakukulu kwa 2000 ~ 2500℃, ndikubwezeretsanso m'dera lotentha kwambiri (mbewu ya crystal) kuti apange SiC single crystal yapamwamba kwambiri (4H/6H-SiC). Njira ya PVT ndiyo njira yayikulu yopangira zinthu za SiC za mainchesi 6 ndi pansi, zomwe zimagwiritsidwa ntchito kwambiri pokonzekera substrate ya ma semiconductor amphamvu (monga MOSFETs, SBD) ndi zida zama radio frequency (GaN-on-SiC).

Tumizani imelo kwa ife

Mawonekedwe

Mfundo yogwira ntchito:

1. Kunyamula zinthu zopangira: ufa wa SiC woyeretsedwa kwambiri (kapena chipika) woyikidwa pansi pa chophikira cha graphite (malo otentha kwambiri).

2. Malo opanda mpweya: chotsukira mpweya mu chipinda cha uvuni (<10⁻³ mbar) kapena chotsukira mpweya wopanda mpweya (Ar).

3. Kutentha kwambiri: kutentha kolimba mpaka 2000 ~ 2500 ℃, kuwonongeka kwa SiC kukhala Si, Si₂C, SiC₂ ndi zigawo zina za gasi.

4. Kutumiza mpweya: kutentha kumayendetsa kufalikira kwa zinthu zomwe zili mu mpweya kupita kudera lotentha pang'ono (kumapeto kwa mbewu).

5. Kukula kwa kristalo: Gawo la mpweya limabwereranso pamwamba pa Crystal ya Seed ndipo limakula motsatira C-axis kapena A-axis.

Magawo ofunikira:

1. Kuchuluka kwa kutentha: 20~50℃/cm (kulamulira kukula kwa chiwopsezo ndi kuchuluka kwa chilema).

2. Kupanikizika: 1 ~ 100mbar (kupanikizika kochepa kuti muchepetse kuipitsidwa).

3. Kukula kwa chinthu: 0.1 ~ 1mm/h (zomwe zimakhudza ubwino wa kristalo ndi magwiridwe antchito opangira).

Zinthu zazikulu:

(1) Ubwino wa kristalo
Kuchuluka kwa chilema chochepa: kuchuluka kwa microtubule <1 cm⁻², kuchuluka kwa dislocation 10³~10⁴ cm⁻² (kudzera mu kukonza bwino mbewu ndi kuwongolera njira).

Kuwongolera kwa mtundu wa polycrystalline: kumatha kukula 4H-SiC (yaikulu), 6H-SiC, 4H-SiC chiŵerengero >90% (kuyenera kuwongolera molondola kuchuluka kwa kutentha ndi chiŵerengero cha stoichiometric cha gawo la mpweya).

(2) Kagwiridwe ka ntchito ka zida
Kukhazikika kwa kutentha kwambiri: kutentha kwa thupi kwa graphite > 2500 ℃, thupi la ng'anjo limagwiritsa ntchito kapangidwe ka kutchinjiriza ka multilayer (monga graphite felt + jekete loziziritsidwa ndi madzi).

Kulamulira kufanana: Kusinthasintha kwa kutentha kwa axial/radial kwa ±5 ° C kumatsimikizira kukhazikika kwa kristalo m'mimba mwake (kuchepa kwa makulidwe a substrate a mainchesi 6 <5%).

Mlingo wa automation: Dongosolo lowongolera la PLC lophatikizidwa, kuyang'anira kutentha, kuthamanga ndi kuchuluka kwa kukula nthawi yeniyeni.

(3) Ubwino wa ukadaulo
Kugwiritsa ntchito kwambiri zinthu: kuchuluka kwa zinthu zopangira >70% (kwabwino kuposa njira ya CVD).

Kugwirizana kwakukulu: Kupanga kwa mainchesi 6 kwachitika, mainchesi 8 ali mu gawo lopanga.

(4) Kugwiritsa ntchito mphamvu ndi mtengo wake
Mphamvu zomwe zimagwiritsidwa ntchito mu uvuni umodzi ndi 300~800kW·h, zomwe zimapangitsa kuti 40%~60% ya ndalama zomwe zimagwiritsidwa ntchito popanga SiC substrate.

Ndalama zomwe zidagwiritsidwa ntchito ndi zambiri (1.5M 3M pa unit), koma mtengo wa unit substrate ndi wotsika kuposa njira ya CVD.

Ntchito zazikulu:

1. Zamagetsi zamagetsi: SiC MOSFET substrate ya inverter yamagetsi yamagalimoto ndi inverter ya photovoltaic.

2. Zipangizo za Rf: 5G base station GaN-on-SiC epitaxial substrate (makamaka 4H-SiC).

3. Zipangizo zotetezera chilengedwe: masensa otentha kwambiri komanso othamanga kwambiri a zida zamlengalenga ndi mphamvu za nyukiliya.

magawo aukadaulo：

Kufotokozera	Tsatanetsatane
Miyeso (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm kapena sinthani
M'mimba mwake wa mbiya	900 mm
Kupanikizika Kwambiri kwa Vacuum	6 × 10⁻⁴ Pa (mutatha maola 1.5 a vacuum)
Chiŵerengero cha Kutaya	≤5 Pa/12h (kuphika kunja)
Mzere wa Shaft Yozungulira	50 mm
Liwiro Lozungulira	0.5–5 rpm
Njira Yotenthetsera	Kutentha kolimba kwa magetsi
Kutentha Kwambiri kwa Ng'anjo	2500°C
Mphamvu Yotenthetsera	40 kW × 2 × 20 kW
Kuyeza Kutentha	Piromita ya infrared yamitundu iwiri
Kuchuluka kwa Kutentha	900–3000°C
Kulondola kwa Kutentha	±1°C
Kupanikizika kwapakati	1–700 mbar
Kulondola kwa Kulamulira Kupanikizika	1–10 mbar: ±0.5% FS; 10–100 mbar: ±0.5% FS; 100–700 mbar: ±0.5% FS
Mtundu wa Ntchito	Zosankha zotetezera zonyamula pansi, zamanja/zodziyimira zokha
Zinthu Zosankha	Kuyeza kutentha kawiri, madera ambiri otenthetsera

Ntchito za XKH:

XKH imapereka ntchito yonse yokonza ng'anjo ya SiC PVT, kuphatikizapo kusintha kwa zida (kapangidwe ka malo otentha, kuwongolera zokha), kupanga njira (kuwongolera mawonekedwe a kristalo, kukonza zolakwika), maphunziro aukadaulo (kugwiritsa ntchito ndi kukonza) ndi chithandizo pambuyo pogulitsa (kusintha magawo a graphite, kuwerengera malo otentha) kuti tithandize makasitomala kupeza kupanga makristalo apamwamba kwambiri. Timaperekanso ntchito zokweza njira kuti tipititse patsogolo kukolola kwa makristalo ndi kukula kwawo, ndi nthawi yokhazikika ya miyezi 3-6.