Ng'anjo Yokulirapo ya SiC Crystal ya mainchesi 4, mainchesi 6, mainchesi 8, ya SiC ya Njira ya CVD

Kufotokozera Kwachidule:

Dongosolo la XKH la SiC Crystal Growth Furnace CVD Chemical Vapor Deposition limagwiritsa ntchito ukadaulo wotsogola padziko lonse lapansi woyika nthunzi ya mankhwala, womwe wapangidwira makamaka kukula kwa kristalo imodzi ya SiC yapamwamba kwambiri. Kudzera mu kuwongolera molondola magawo a njira kuphatikiza kuyenda kwa mpweya, kutentha ndi kupanikizika, limathandizira kukula kwa kristalo ya SiC yolamulidwa pa substrates za mainchesi 4-8. Dongosolo la CVD ili limatha kupanga mitundu yosiyanasiyana ya kristalo ya SiC kuphatikiza mtundu wa 4H/6H-N ndi mtundu wa 4H/6H-SEMI insulating, kupereka mayankho athunthu kuyambira pazida mpaka pazinthu. Dongosololi limathandizira zofunikira pakukula kwa ma wafers a mainchesi 2-12, zomwe zimapangitsa kuti ikhale yoyenera kwambiri popanga zamagetsi zamagetsi ndi zida za RF.

Tumizani imelo kwa ife

Mawonekedwe

Mfundo Yogwirira Ntchito

Mfundo yaikulu ya dongosolo lathu la CVD imaphatikizapo kuwonongeka kwa kutentha kwa mpweya woyambira wokhala ndi silicon (monga SiH4) ndi carbon (monga C3H8) pa kutentha kwambiri (nthawi zambiri 1500-2000°C), kuyika makristalo amodzi a SiC pa substrates kudzera muzochita za mankhwala a gasi. Ukadaulo uwu ndi woyenera kwambiri popanga makristalo amodzi a 4H/6H-SiC okhala ndi chilema chochepa (<1000/cm²), kukwaniritsa zofunikira zolimba za zida zamagetsi zamagetsi ndi zida za RF. Kudzera mu kuwongolera kolondola kwa kapangidwe ka mpweya, kuthamanga kwa madzi ndi kutentha, dongosololi limalola kuwongolera kolondola kwa mtundu wa kristalo wowongolera (mtundu wa N/P) ndi resistivity.

Mitundu ya Machitidwe ndi Magawo Aukadaulo

Mtundu wa Kachitidwe	Kuchuluka kwa Kutentha	Zinthu Zofunika Kwambiri	Mapulogalamu
CVD Yotentha Kwambiri	1500-2300°C	Kutentha kwa graphite, kutentha kofanana kwa ± 5°C	Kukula kwa makristalo a SiC ambiri
Hot-Filament CVD	800-1400°C	Kutentha kwa ulusi wa Tungsten, 10-50μm/h kuchuluka kwa malo oyikidwa	SiC thick epitaxy
VPE CVD	1200-1800°C	Kuwongolera kutentha kwa malo ambiri, >80% kugwiritsa ntchito mpweya	Kupanga ma epi-wafer ambiri
PECVD	400-800°C	Kuwonjezeka kwa plasma, kuchuluka kwa 1-10μm/h	Mafilimu opyapyala a SiC otsika kutentha

Makhalidwe Abwino Aukadaulo

1. Dongosolo Lowongolera Kutentha Kwambiri
Uvuniwu uli ndi makina otenthetsera okhala ndi malo ambiri omwe amatha kusunga kutentha mpaka 2300°C ndi ±1°C yofanana m'chipinda chonse chokulirapo. Kuwongolera kutentha kolondola kumeneku kumachitika kudzera mu:
Magawo 12 otenthetsera omwe amayendetsedwa paokha.
Kuwunika kosalekeza kwa thermocouple (Mtundu C W-Re).
Ma algorithms osinthira mbiri ya kutentha nthawi yeniyeni.
Makoma a chipinda choziziritsidwa ndi madzi kuti azilamulira kutentha.

2. Ukadaulo Wopereka Gasi ndi Kusakaniza
Dongosolo lathu logawa mpweya limatsimikizira kusakaniza bwino kwa precursor ndi kutumiza kofanana:
Zowongolera kuyenda kwa madzi ambiri zomwe zili ndi ±0.05scm molondola.
Injection ya gasi yokhala ndi mfundo zambiri.
Kuwunika momwe mpweya umagwirira ntchito (FTIR spectroscopy).
Kubwezera madzi oyenda okha panthawi ya kukula.

3. Kukweza Ubwino wa Makristalo
Dongosololi limaphatikizapo zinthu zingapo zatsopano kuti liwongolere khalidwe la kristalo:
Chogwirira cha substrate chozungulira (chokhoza kukonzedwa mu 0-100rpm).
Ukadaulo wapamwamba wowongolera malire.
Dongosolo loyang'anira zolakwika zomwe zili mkati (kufalikira kwa laser ya UV).
Kubwezera nkhawa zokha panthawi yokulira.

4. Kukonza ndi Kulamulira Njira
Kukonzekera kwathunthu kwa maphikidwe.
Kukonza ma parameter a kukula kwa nthawi yeniyeni (AI).
Kuwunika ndi kuzindikira matenda patali.
Kulemba deta ya magawo 1000+ (kusungidwa kwa zaka 5).

5. Zinthu Zofunika pa Chitetezo ndi Kudalirika
Chitetezo chowonjezera kutentha kwambiri katatu.
Dongosolo lodziyeretsera mwadzidzidzi.
Kapangidwe ka nyumba koyesedwa ndi chivomerezi.
Chitsimikizo cha 98.5% cha nthawi yogwira ntchito.

6. Kapangidwe Kowonjezereka
Kapangidwe ka modular kamalola kukweza mphamvu.
Imagwirizana ndi kukula kwa wafer wa 100mm mpaka 200mm.
Imathandizira makonzedwe oyima ndi opingasa.
Zigawo zosintha mwachangu kuti zikonzedwe.

7. Kugwiritsa Ntchito Mphamvu Moyenera
Kugwiritsa ntchito mphamvu kotsika ndi 30% kuposa makina ofanana.
Dongosolo lobwezeretsa kutentha limatenga 60% ya kutentha komwe kutayika.
Ma algorithms ogwiritsira ntchito mpweya wabwino.
Zofunikira pa malo ogwirira ntchito mogwirizana ndi LEED.

8. Kusinthasintha kwa Zinthu
Imakula mitundu yonse ikuluikulu ya SiC (4H, 6H, 3C).
Imathandizira mitundu yonse ya conductive ndi semi-insulating.
Amapereka njira zosiyanasiyana zogwiritsira ntchito doping (mtundu wa N, mtundu wa P).
Zimagwirizana ndi zinthu zina zoyambira (monga TMS, TES).

9. Magwiridwe Antchito a Kachitidwe ka Vacuum
Kupanikizika kwa maziko: <1×10⁻⁶ Torr
Kuchuluka kwa kutayikira: <1×10⁻⁹ Torr·L/sekondi
Liwiro lopopera: 5000L/s (ya SiH₄)

Kulamulira kuthamanga kwadzidzidzi panthawi ya kukula
Mafotokozedwe aukadaulo awa akuwonetsa kuthekera kwa makina athu kupanga makhiristo a SiC apamwamba kwambiri pakufufuza komanso kupanga bwino, okhala ndi kusinthasintha komanso kukolola kwakukulu m'makampani. Kuphatikiza kwa kuwongolera kolondola, kuyang'anira kwapamwamba, ndi uinjiniya wamphamvu kumapangitsa makina a CVD awa kukhala chisankho chabwino kwambiri pa ntchito zonse za R&D ndi kupanga voliyumu mu zamagetsi zamagetsi, zida za RF, ndi ntchito zina zapamwamba za semiconductor.

Ubwino Waukulu

1. Kukula kwa Makristalo Kwabwino Kwambiri
• Kuchuluka kwa chilema kotsika kufika pa <1000/cm² (4H-SiC)
• Kufanana kwa doping <5% (ma wafer a mainchesi 6)
• Kuyera kwa makristalo >99.9995%

2. Kuthekera Kopanga Zinthu Zazikulu
• Imathandizira kukula kwa wafer wa mainchesi 8
• Kufanana kwa m'mimba mwake >99%
• Kusiyanasiyana kwa makulidwe <±2%

3. Kuwongolera Njira Molondola
• Kulondola kwa kuwongolera kutentha ±1°C
• Kulondola kwa kayendedwe ka mpweya ± 0.1scm
• Kulondola kwa kulamulira kuthamanga kwa magazi ± 0.1Torr

4. Kugwiritsa Ntchito Mphamvu Moyenera
• Kugwiritsa ntchito mphamvu moyenera ndi 30% kuposa njira zachizolowezi
• Kukula kwa chiŵerengero kufika pa 50-200μm/h
• Nthawi yogwira ntchito ya zida >95%

Mapulogalamu Ofunika

1. Zipangizo Zamagetsi Zamagetsi
Ma substrates a mainchesi 6 a 4H-SiC a 1200V+ MOSFET/diode, kuchepetsa kutayika kwa switching ndi 50%.

2. Kulankhulana kwa 5G
Ma substrates a SiC oteteza pang'ono (resistivity >10⁸Ω·cm) a ma PA a siteshoni ya maziko, ndi kutayika kwa insertion <0.3dB pa >10GHz.

3. Magalimoto Atsopano Ogwiritsa Ntchito Mphamvu
Ma module amphamvu a SiC a magalimoto amawonjezera kuchuluka kwa magetsi amagetsi ndi 5-8% ndikuchepetsa nthawi yochaja ndi 30%.

4. Ma Inverter a PV
Ma substrates omwe ali ndi vuto lochepa amawonjezera mphamvu yosinthira kupitirira 99% pomwe amachepetsa kukula kwa makina ndi 40%.

Ntchito za XKH

1. Ntchito Zosinthira Makonda
Makina a CVD a mainchesi 4-8 opangidwa mwaluso.
Imathandizira kukula kwa mtundu wa 4H/6H-N, mtundu wa 4H/6H-SEMI insulating, ndi zina zotero.

2. Thandizo laukadaulo
Maphunziro okwanira okhudza momwe zinthu zimagwirira ntchito komanso momwe zinthu zimagwirira ntchito.
Yankho laukadaulo la 24/7.

3. Mayankho Otembenukira
Mautumiki ochokera kumapeto mpaka kumapeto kuyambira kukhazikitsa mpaka kutsimikizira njira.

4. Kupereka Zinthu Zofunika
Ma substrates a SiC/epi-wafers a mainchesi 2-12 akupezeka.
Imathandizira mitundu ya 4H/6H/3C.

Zinthu zazikulu zomwe zimasiyanitsa izi ndi izi:
Kukula kwa kristalo mpaka mainchesi 8.
Kukula kwa 20% mwachangu kuposa avareji ya mafakitale.
Kudalirika kwa dongosolo ndi 98%.
Phukusi lathunthu lanzeru lolamulira.