Kodi mumadziwa bwanji za SiC single crystal process process?

Silicon carbide (SiC), ngati mtundu wa zida za semiconductor zamagulu osiyanasiyana, imagwira ntchito yofunika kwambiri pakugwiritsa ntchito sayansi yamakono ndiukadaulo. Silicon carbide imakhala ndi kukhazikika kwamafuta, kulolerana kwamphamvu kwamagetsi, kuyendetsa mwadala ndi zinthu zina zabwino kwambiri zakuthupi ndi zowoneka bwino, ndipo imagwiritsidwa ntchito kwambiri pazida za optoelectronic ndi zida zadzuwa. Chifukwa chakuchulukirachulukira kwa zida zamagetsi zokhazikika komanso zokhazikika, kudziwa luso lakukula kwa silicon carbide kwakhala kotentha kwambiri.

Ndiye mumadziwa bwanji za kukula kwa SiC?

Lero tikambirana njira zazikulu zitatu za kukula kwa silicon carbide single makhiristo: thupi nthunzi zoyendera (PVT), liquid gawo epitaxy (LPE), ndi kutentha mkulu kutentha mankhwala nthunzi deposition (HT-CVD).

Physical Vapor Transfer Method (PVT)
Njira yosinthira nthunzi yakuthupi ndi imodzi mwazinthu zomwe zimagwiritsidwa ntchito kwambiri pakukula kwa silicon carbide. Kukula kwa single crystal silicon carbide kumadalira makamaka kutsika kwa ufa wa sic ndikuyikanso pa kristalo wa mbewu pansi pa kutentha kwambiri. Mu crucible yotsekedwa ya graphite, ufa wa silicon carbide umatenthedwa mpaka kutentha kwambiri, kudzera pakuwongolera kutentha, nthunzi ya silicon carbide imakhazikika pamwamba pa kristalo wa mbewu, ndipo pang'onopang'ono imakula kukula kwakukulu kofanana.
Ambiri a monocrystalline SiC omwe timapereka pano amapangidwa motere. Ndiwonso njira yodziwika bwino m'makampani.

Liquid phase epitaxy (LPE)
Makatani a silicon carbide amakonzedwa ndi epitaxy yamadzimadzi kudzera mu njira yakukula kwa kristalo pa mawonekedwe olimba-zamadzimadzi. Mwa njira iyi, ufa wa silicon carbide umasungunuka mu njira ya silicon-carbon pa kutentha kwakukulu, ndiyeno kutentha kumatsitsidwa kuti silicon carbide iwonongeke kuchokera ku yankho ndikumera pazitsulo zambewu. Ubwino waukulu wa njira ya LPE ndikutha kupeza makhiristo apamwamba pa kutentha kochepa, mtengo wake ndi wochepa, ndipo ndi woyenera kupanga zazikulu.

Kutentha kwakukulu kwa Chemical Vapor Deposition (HT-CVD)
Poyambitsa mpweya wokhala ndi silicon ndi kaboni m'chipinda chochitiramo kutentha kwambiri, crystal layer ya silicon carbide imayikidwa mwachindunji pamwamba pa kristalo wa mbewu kudzera muzochita zamankhwala. Ubwino wa njirayi ndikuti kuchuluka kwa kayendedwe ka gasi ndi momwe amachitira gasi kumatha kuyendetsedwa bwino, kuti mupeze kristalo wa silicon carbide wokhala ndi chiyero chachikulu komanso zolakwika zochepa. Njira ya HT-CVD imatha kupanga makristalo a silicon carbide okhala ndi zinthu zabwino kwambiri, zomwe ndizofunikira kwambiri pakugwiritsa ntchito komwe kumafunikira zida zapamwamba kwambiri.

Kukula kwa silicon carbide ndiye mwala wapangodya wakugwiritsa ntchito kwake ndi chitukuko. Kudzera mwaukadaulo wopitilira muyeso komanso kukhathamiritsa, njira zitatu zakukulira izi zimagwira ntchito zawo kuti zikwaniritse zosowa zanthawi zosiyanasiyana, kuwonetsetsa malo ofunikira a silicon carbide. Ndikukula kwa kafukufuku ndi kupita patsogolo kwaukadaulo, kukula kwa zida za silicon carbide kupitilira kukhathamiritsa, ndipo magwiridwe antchito a zida zamagetsi adzakhala bwino.
(kuyesa)


Nthawi yotumiza: Jun-23-2024